数据列表：BSL214N

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：OptiMOS??

包装：带卷（TR）

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.5A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：140 毫欧 @ 1.5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 3.7µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：0.8nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：143pF @ 10V

功率 - 最大值：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-74，SOT-457

供应商器件封装：PG-TSOP6-6

其它名称：BSL214N L6327-NDBSL214N L6327TRBSL214NL6327BSL214NL6327HTSA1SP000442430